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SDU30N02 参数 Datasheet PDF下载

SDU30N02图片预览
型号: SDU30N02
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内容描述: N沟道é nhancement模式场效应晶体管 [N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 863 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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杜律诗/ D30N02
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 30A
最小典型最大单位
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse测试:脉冲宽度
300US ,占空比
2%.
设计b.Guaranteed ,不受生产测试。
40
35
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4V
30
40
25 C
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
的s
=3V
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
30
T J = 125℃
20
10
-55 C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
3000
1.3
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
R
DS ( ON)
归一化
漏-S环境允许,在-R es是tance
V
的s
=4.5V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
T J = 125℃
25 C
-55 C
2500
C,C apacitance (PF )
2000
1500
1000
500
0
Ç OS s
Ç RS s
0
5
10
15
C为S
0
10
20
30
40
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
Ç排水光凭目前与温度
3