S DP / B 85N03L
S amHop微电子Ç ORP 。
2004年5月了Ver.1.1
N沟道逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
4
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
30V
˚F ê乌尔(E S)
( m
W
)最大
I
D
83A
R
DS ( ON)
S UPER高密度电池设计极低R DS ( ON) 。
高功率和电流处理能力。
的TO-220 &的TO- 263封装。
5 @ V
的s
= 10V
7.5 @ V
的s
= 4.5V
D
D
G
D
S
G
S
G
S DP性S E ř IE S
TO-220
S DB性S E ř IE S
TO- 263 ( DD -P AK )
S
ABS OLUTE最大R ATINGS ( TC = 25℃除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
@ TJ = 125℃
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
83
249
75
75
-65〜 175
单位
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
R
JC
R
JA
1
2
62.5
C / W
C / W