S DM4952
-B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
-V日归
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
I
D
=-250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
25
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
V
的s
=0V
g
F小号
，T失败者电导（ S）
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
20
20
15
10
5
V
DS
=-15V
0
0
5
10
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前ç （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管˚F orward V oltage （ V）
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
5
-V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
80
-I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
4
3
2
1
0
V
DS
=-10V
I
D
=-1A
10
R
D
S
(O
L
N)
im
it
10m
10
s
0m
s
1
1s
DC
0.1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ULS ê
T
A
=25 C
0.1
1
10 20
50
0
3
6
9
12
15
18
21
QG ，T otal摹吃ç哈耶（ NC）
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
˚F igure 9.摹吃Ç哈耶
˚F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
3
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
