SDB65N03L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SDB65N03L
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内容描述：	N沟道逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 416 K
品牌：	SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]

S DP / B 65N03L

Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

S ymbol

条件

= 0V ，是= 26A

最小典型最大单位

0.9

1.3

DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS

笔记

a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

的s

=10,9,8,7,6,5V

25 C

=125 C

，排水光凭目前Ç （A ）

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

的s

=3V

的s

=4V

，排水光凭目前Ç （A ）

-55 C

，漏到-S环境允许的电压（V ）

的s

地下吃到-S环境允许的电压（V）

˚F igure 1输出C haracteris抽动

3600

˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动

2.2

的s

=10V

=26A

DS （ ON）

归一化

漏-S环境允许在-R es是tance

3000

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

C，C apacitance （PF ）

2400

1800

C为S

1200

600

Ç OS s

Ç RS s

-50

-25

100 125

T J （ C）

，汲极与S环境允许的电压（V ）

˚F igure 3. Ç apacitance

˚F igure 4.在-R es是tance与变化

温度

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