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SDB65N03 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SDB65N03
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 416 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S DP / B 65N03L
S amHop微电子Ç ORP 。
S eptember , 2002年
N沟道逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
4
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
30V
˚F ê乌尔(E S)
( m
W
)典型值
I
D
65A
R
DS ( ON)
S UPER高密度电池设计极低R DS ( ON) 。
高功率和电流处理能力。
的TO-220 &的TO- 263封装。
8 @ V
的s
= 10V
12 @ V
的s
= 4.5V
D
D
G
D
S
G
S
G
S DP性S E ř IE S
TO-220
S DB性S E ř IE S
TO- 263 ( DD -P AK )
S
ABS OLUTE最大R ATINGS ( TC = 25℃除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
@ TJ = 125℃
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
65
195
65
75
0.5
-65〜 175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
减免上述25℃
工作和S torage温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
R
JC
R
JA
1
2
62.5
C / W
C / W