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STU302S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STU302S
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 196 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U/D302S
1200
V
G S
, G ate to S ource V oltage (V )
C is s
1000
10
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=20A
C , C apacitance (pF )
800
600
400
C rs s
200
0
C os s
6
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35 40
V
DS
, Drain-to S ource Voltage (V )
Qg, T otal G ate C harge (nC )
F igure 9. C apacitance
F igure 10. G ate C harge
220
Tr
600
100
N)
(O
S
S witching T ime (ns )
L im
T D(off)
it
Tf
I
D
, Drain C urrent (A)
100
60
10
T D(on)
10
DC
10
1m
ms
s
0m
10
R
D
s
1s
1
1
V DS =15V ,ID=1A
V G S =10V
1
0.5
0.1
V
G S
=10V
S ingle P ulse
T c=25 C
6 10
60 100 300 600
1
10
30 60
R g, G ate R es is tance (
)
V
DS
, Drain-S ource V oltage (V )
F igure 11.s witching characteris tics
F igure 12. Maximum S afe
O perating Area
5