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STM4435 参数 Datasheet PDF下载

STM4435图片预览
型号: STM4435
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内容描述: P沟道é nhancement模式场效应晶体管 [P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 744 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T M4435
2000
-V
G S
, G ate to S ource V oltage (V )
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Qg, T otal G ate C harge (nC )
C i ss
1600
V
DS
=-15 V
I
D
=-8A
C , C apacitance (pF )
1200
800
C oss
400
C rss
0
6
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
, Drain-to S ource Voltage (V )
F igure 9. C apacitance
600
-I
D
, Drain C urrent (A)
S witching T ime (ns )
F igure 10. G ate C harge
50
10
R
D
S
100
60
10
T D(off)
Tf
Tr
T D (o n)
(O
L
N)
im
it
10
10
1s
ms
0m
s
1
DC
1
1
V D S = -15V,I D=-1A
V G S =
-10
V
0.1
0.03
V
G S
=-10V
S ingle P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
6 10
60 100 300 600
R g, G ate R es is tance (
W
)
-V
DS
, Drain-S ource V oltage (V )
F igure 11.s witching characteris tics
F igure 12. Maximum S afe
O perating Area
5