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2N7336 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7336
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内容描述: 14 LEAD双列直插式QUAD N' P沟道功率MOSFET [14 LEAD DUAL IN LINE QUAD N & P CHANNEL POWER MOSFETS]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 3 页 / 45 K
品牌: SAMES [ SAMES ]
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2N7336
IRFG6110
N沟道电气特性
(环境温度Tamb = 25° C除非另有说明)
参数
BV
DSS
∆T
J
R
DS ( ON)
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D
L
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极( “米勒” )费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
2
二极管的正向电压1
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
封装特性
内部排水电感
(从漏极焊盘中心到死)
内部源极电感
(从源盘的中心,结束源焊线)
I
S
= 1.0A
V
GS
= 0
I
F
= 1A
T
J
= 25°C
微不足道
4.0
6.0
d
i
/ d
t
100A / μs的V
DD
50V
T
J
= 25°C
V
DD
= 50V
I
D
= 1A
R
G
= 24Ω
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5V
DS
I
D
= 1A
180
82
15
15
7.5
7.5
20
25
40
40
1
4
1.5
200
0.83
ns
nC
pF
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
I
D
= 0.6A
I
D
= 1A
I
D
= 250µA
I
DS
= 0.60A
V
DS
= 0.8V
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
V
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
参考至25℃
0.13
0.70
0.80
2
0.86
25
250
100
–100
4
V /°C的
V
S(Ω
µA
nA
)
(
4/99
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
源 - 漏极二极管的特性
A
V
ns
µC
nH
笔记
1 )脉冲测试:脉冲宽度
300µs,
δ ≤
2%
2 )重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk