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RU6199R 参数 Datasheet PDF下载

RU6199R图片预览
型号: RU6199R
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 470 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU6199
典型特征
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压( V)
R
DS ( ON)
- 导通电阻( MΩ)
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
漏源导通电阻
栅极阈值电压
RDS (ON ) - 在 - 电阻( MR)
VGS - 栅极 - 源极电压( V)
归一化的阈值Vlotage
TJ - 结温( ° C)
Copyright Ruichips半导体有限公司
Rev.A的 - 一月, 2010
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www.ruichips.com