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RU55L18L 参数 Datasheet PDF下载

RU55L18L图片预览
型号: RU55L18L
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内容描述: P沟道先进的功率MOSFET [P-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 299 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU55L18L
典型特征
漏源导通电阻
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
T
j
- 结温( ° C)
-I
S
- 源电流( A)
-V
SD
- 源极 - 漏极电压( V)
电容
栅极电荷
-V
DS
- 漏源电压( V)
Copyright Ruichips半导体有限公司
启B-八月, 2012
5
-V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
Ç - 电容(pF )
Q
G
- 栅极电荷( NC)
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