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型号: RU30E7H
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 266 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU30E7H
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
RU30E7H
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=7A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=5A
30
1
30
1
1.8
2.5
±10
16
25
20
40
V
µA
V
µA
mΩ
mΩ
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 2.5A ,V
GS
=0V
I
SD
= 7A , DL
SD
/dt=100A/µs
23
22
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
1.2
644
85
32
4
V
DD
= 15V ,R
L
=2.1Ω,
I
DS
= 7A ,V
=10V,
R
G
=6Ω
7
21
9
1.2
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
脉冲宽度有限的安全工作区。
•当
安装在1平方英寸的铜电路板,T
≤10sec.
脉冲测试;脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
通过设计保证,不受生产测试。
15
V
DS
=24V, V
GS
=10V,
I
DS
=7A
2
5
20
nC
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-十月, 2011
2
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