欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RU30100L 参数 Datasheet PDF下载

RU30100L图片预览
型号: RU30100L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 286 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
 浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号RU30100L的Datasheet PDF文件第9页  
RU30100L
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
RU30100L
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=50A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=35A
30
1
30
1
-
3
±100
2.2
4
3.5
6.5
V
µA
V
nA
mΩ
mΩ
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 50A ,V
GS
=0V
I
SD
= 50A , DL
SD
/dt=100A/µs
25
23
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
1.4
2880
580
290
10
V
DD
= 15V ,R
L
=0.3Ω,
I
DS
= 50A ,V
=10V,
R
G
=5Ω
24
21
12
1.2
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=24V, V
GS
=10V,
I
DS
=50A
28
6
11
nC
基于最大允许结温计算的连续电流。套餐限制
电流为60A 。
脉冲宽度有限的安全工作区。
限制T
JMAX
, I
AS
= 35A ,V
DD
= 48V ,R
G
= 50Ω ,起始物为
J
= 25°C.
脉冲测试;脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
通过设计保证,不受生产测试。
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本A -MAY , 2012
2
www.ruichips.com