欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RU1HE3D 参数 Datasheet PDF下载

RU1HE3D图片预览
型号: RU1HE3D
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 244 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
 浏览型号RU1HE3D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RU1HE3D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RU1HE3D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RU1HE3D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RU1HE3D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RU1HE3D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RU1HE3D的Datasheet PDF文件第8页  
RU1HE3D
典型特征
功耗
漏电流
T
j
- 结温( ° C)
I
D
- 漏电流( A)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
P
合计
- 功率(W )
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压( V)
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本C - 三月2011
3
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间(秒)
www.ruichips.com
I
D
- 漏电流( A)