RU55111R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU55111R
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 292 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU55111R

Typical Characteristics

Power Dissipation

Drain Current

T_j- Junction Temperature (°C)

Safe Operation Area

Thermal Transient Impedance

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Square Wave Pulse Duration (sec)

CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. A– MAR., 2011

www.ruichips.com

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9