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RU1HP60S-R 参数 Datasheet PDF下载

RU1HP60S-R图片预览
型号: RU1HP60S-R
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内容描述: [P-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 382 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU1HP60S  
T
T
i l
 
C
h
haract
t i
 
ti  
ypical eristics  
Power Dissipation  
Drain Current  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
40  
20  
VGS=-10V  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
TJ - Junction Temperature (°C)  
TJ - Junction Temperature (°C)  
Drain Current  
150  
125  
100  
75  
Safe Operation Area  
Ids=-60A  
100  
10  
1
10µs  
100µs  
1ms  
DC  
10ms  
50  
0.1  
25  
TC=25°C  
0
0.01  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
-VGS - Gate-Source Voltage (V)  
-VDS - Drain-Source Voltage (V)  
Thermal Transient Impedance  
Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse  
1
0.1  
Single Pulse  
0.01  
RθJC=0.8°C/W  
0.001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
Square Wave Pulse Duration (sec)  
Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. B– AUG., 2014  
4
www.ruichips.com