RU1HC2H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU1HC2H
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内容描述：	互补的先进的功率MOSFET [Complementary Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 341 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU1HC2H

Typical Characteristics(P-Channel)

Drain-Source On Resistance

Source-Drain Diode Forward

T_j- Junction Temperature (°C)

Capacitance

-V_SD- Source-Drain Voltage (V)

Gate Charge

-V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Q_G- Gate Charge (nC)

CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. B– MAR., 2011

www.ruichips.com

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