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RU1H301Q 参数 Datasheet PDF下载

RU1H301Q图片预览
型号: RU1H301Q
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内容描述: [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 397 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU1H301Q  
T
T
i l
 
C
h
haract
t i
 
ti  
ypical eristics  
Power Dissipation  
Drain Current  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
Limited By Package  
VGS=10V  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
TJ - Junction Temperature (°C)  
TJ - Junction Temperature (°C)  
Drain Current  
10  
8
Safe Operation Area  
10000  
1000  
100  
10  
Ids=90A  
10µs  
100µs  
1ms  
6
DC  
10ms  
4
2
1
TC=25°C  
0
0.1  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
VGS - Gate-Source Voltage (V)  
VDS - Drain-Source Voltage (V)  
Thermal Transient Impedance  
1
0.1  
Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse  
0.01  
Single Pulse  
0.001  
RθJC=0.25°C/W  
0.0001  
1E-05  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
Square Wave Pulse Duration (sec)  
Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. A– NOV., 2014  
4
www.ruichips.com