RU190N08R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU190N08R
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 389 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU190N08

Typical Characteristics

Power Dissipation

Drain Current

T_j- Junction Temperature (°C)

Tj - Junction Temperature (°C)

Safe Operation Area

Thermal Transient Impedance

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Square Wave Pulse Duration (sec)

CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. C – JAN., 2010

www.ruichips.com

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