特定网络阳离子
终端
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
32.768千赫
100千赫
动生阻抗R
1
(kΩ)
动感电容C
1
(fF)
品质因数Q （ K）
并联电容C
0
（PF ）
负载电容（pF ） *
转折点（
o
C)**
70
2.2
27
1.1
9
20
19
1.0
80
0.84
5
16
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
镍，镀焊锡
镍，锡浸
封装选项
CX9VSM
-Tray包
-16mm胶带，7“或13”的卷轴
每EIA 481 （见数据表10109 ）
标准校准公差***
+
_
30 ppm时，
+
为100ppm ，
+
为1000ppm
_
_
玻璃盖：
_
_
_
陶瓷盖：
+
为100ppm ，
+
为1000ppm ，
+
10000 PPM
驱动电平
老龄化，第一年
冲击，生存
振动，生存
工作温度。范围
0.5
µW
最大
5 ppm的
5000克高峰， 0.3毫秒，半正弦
20克RMS ， 10-2,000赫兹随机
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
-55
O
C至+ 125
O
C
260
O
下进行20秒。
C
G
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
传统的CMOS
皮尔斯振荡器电路。
R
f
卜FF器
OSC
频率（F
O
)
扩音器
R
A
储存温度。范围
最大过程温度
注：偏差在频率（f） @温度（T） ，从
频率（f
O
） @拐点温度（T
O
);
f-f
O
=
K（ T- T）
2
o
f
O
*可用其他的负载电容值
**可用其他温度
***提供更严格的公差
CX9
C
D
HOW TO ORDER CX9VSM晶体
CX9V
S
C
C =陶瓷盖
空白=玻璃盖
SM1
100.0K,
频率
K =千赫
100
校准
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
/
M
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准。
SM1 =镀金
SM2 =镍，镀焊锡
SM3 =镍，浸焊
10157 - 版本A
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
IS
O
90
01
RSG [ RSG ELECTRONIC COMPONENTS GMBH ]
