特定网络阳离子
典型用途
针对皮尔斯振荡器
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参数
频率（ HZ）
串联电阻，R
1
(Ω)
串联电阻，R
1
最大
动态电容，C
1
(fF)
品质因数Q（ K）
并联电容，C
0
（PF ）
标准校准
宽容*
3.5
250
1.0
+
_
+
_
+
_
基本
600 ķ 1.0M的
300
400
600
3KΩ
2.0
200
0.8
1.3
150
0.7
弦外之音
500
1000
1.4 M 1.8432 M 2.4576 M
3.5
80
1.0
1.5
45
0.8
表面的CX4系列安装晶体的理想选择
小，密度高，电池供电的便携式产品。该
CX4设计的水晶在皮尔斯振荡器（单台变频器）
电路提供非常低的电流消耗和高
稳定。传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
如下所示。该晶体是有效电感，并在PI-
与C网的电路
D
和C
G
提供了额外的
所需的相移，以维持振荡。振荡
频率（f
0
）为50〜 250ppm的上述晶体的系列
谐振频率（f
S
).
驱动电平
R
A
用于通过形成限制液晶的驱动电平
R的电压分压器
A
和C
D
. R
A
也稳定
振荡器反对改变放大器的输出
电阻（R
0
). R
A
应增加为更高的电压
操作。
负载电容
CX4的结晶校准公差的影响
有效电路的电容，指定作为负载
电容（C
L
). C
L
约等于：
C
L
=
C
D
乘C
G
C
D
+ C
G
+
C
S
_
为500ppm （
+
0.05%)
_
为1000ppm （
+
0.1%)
_
10000 PPM （
+
1.0%)
驱动电平
3
µW
最大
负载电容，C
L
**
7pF
转折点，T
0
**
35
O
C
温度系数中，k
-0.035 PPM /
O
C
2
典型值
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
at
拐点温度T
0
按： F-F
0
2
=
K（ T形
0
)
f
0
功能模式
伸展
老龄化，第一年
5ppm的MAX
冲击，生存
1500克高峰， 0.3毫秒，
1
/
2
正弦
振动，生存
20克RMS ， 10-2,000赫兹随机
工作温度。范围
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
储存温度。范围
-55
O
C至+ 125
O
C
(1)
注：C
D
和C
G
包括流浪布局，地面和C
S
是在晶体之间的杂散电容并联
终奌站。在实践中，将C的有效数值
L
将少
比从C计算
D
, C
G
和C
S
因为价值观
的放大器的输出电阻的影响。 ç
S
应
被最小化。
的振荡频率（f
0
）近似等于：
f
0
=
f
S
1
+
其中f
S
C
1
C
0
C
1
2(C
0
+ C
L
)
最大过程温度
*提供更严格的公差
**可用其他值
260 ℃20秒。
O
[
]
(2)
注：所有数值如有更改，恕不另行通知。
终端
晶体=串联谐振频率
=动态电容
=并联电容
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
传统的CMOS
皮尔斯振荡器电路。
R
f
卜FF器
OSC
频率（F
O
)
封装选项
CX4
- 托盘包装
- 磁带和卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
扩音器
R
A
HOW TO ORDER CX4晶体
CX4
S
C
SM1
1.8432M
频率
K =千赫
M =兆赫
,
500
校准
公差
@25
O
C
（单位：ppm ）
/
M
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
C
G
C =陶瓷盖
空白=玻璃盖
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准
CX4
XTAL
C
D
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =焊接Dippe
d
10161版本A
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
IS
O
90
01
RSG [ RSG ELECTRONIC COMPONENTS GMBH ]
