特定网络阳离子
图1
CX2H典型动态电阻（R
1
)
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
频带
16千赫至600千赫
标准校准公差* （见下表）
串联电阻（R
1
)
图1
MAX ： 16-169.9千赫， 2个典型。
170-600 kHz时，典型值2.5倍。
动态电容（C
1
)
品质因数（Q ）
并联电容（C
0
)
驱动电平
转折点（T
0
)**
老龄化，第一年
冲击，生存***
振动，生存***
工作温度。范围
图2
科幻gure 3
MIN为0.25×典型。
2.0 pF的MAX 。
16-24.9千赫1.5
µW
马克斯。
25-600千赫3.0
µW
马克斯。
图4
1000
500
R
1
(k )
2
100
50
20
10
16
50
100
200
600
0
0
频率（kHz ）
图2
CX2H典型的动态电容（C
1
)
5
C
1
(fF)
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
5 ppm的MAX
1500克高峰， 0.3毫秒，
1
/
2
正弦
10克RMS 20-2,000赫兹
-10℃ 〜+ 70℃ （商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
-55
O
C至+ 125
O
C
260
O
下进行20秒。
O
O
2
1.0
0.5
16
50
100
200
600
频率（kHz ）
科幻gure 3
CX2H典型品质因数
(Q)
储存温度。范围
最大过程温度
*更紧密的频率校准使用。
**其他的转折点可用。
***较高的冲击和振动提供。
50
（ 1000年的）
20
10
5
2
16
50
100
200
600
CX2H标准校准牛逼
olerance 25
0
C
频率范围（千赫）
16-74.9
30 PPM
(0.003%)
+
_
+
_
75-169.9
50ppm的
(0.005%)
+
_
+
_
170-249.9
+
_
250-600
+
_
100 ppm的
(0.01%)
200 ppm的
(0.02%)
200 ppm的
(0.02%)
500 ppm的
(0.05%)
频率（kHz ）
图4
CX2H典型TURNING POINT TEMP （T
0
)
.
100 ppm的
(0.01%)
100 ppm的
(0.01%)
+
_
+
_
+
_
HOW TO ORDER CX2HSM晶体
CX2H
S
C
SM1
32.768K
频率
K =千赫
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
,
30
/ M
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准。
校准
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
T
O
( C)
为1000ppm
(0.1%)
+
_
为1000ppm
(0.1%)
+
_
为2000ppm
(0.2%)
+
_
5000 PPM
(0.5%)
+80
+70
+60
+50
+40
+30
+20
+10
0
-10
-20
O
16
50
100
200
600
频率（kHz ）
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
at
拐点温度T
0
方式：
f-f
0
=
K（ T- T）
2
0
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
f
0
终端
封装选项
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
CX2HSM
- 托盘包装
-16mm胶带，7“或13”的卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109
)
10137 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
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IS
O
90
01
RSG [ RSG ELECTRONIC COMPONENTS GMBH ]
