特定网络阳离子
典型用途
针对皮尔斯振荡器
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参数
基本
弦外之音
频率范围（赫兹）
555 ķ 614 ķ 1.0M的1.4 M1.8432 M 2.1M
串联电阻，R
1
(
Ω)
串联电阻，R
1
最大
动态电容，C
1
(fF)
品质因数Q（ K）
并联电容，C
0
（PF ）
校准公差*
+
_
+
_
+
_
600
275
500
775
300
475
3 kΩ
2.5
170
1.2
3.6
260
1.3
2.0
190
1.1
1.5
100
1.0
2.8
110
1.3
2.6
70
1.3
低调CX微型表面贴装晶体是理想
用于小型化，高密度，电池供电的便携式产品。
在CX水晶设计皮尔斯振荡器（单
逆变器）电路提供非常低的电流消耗，
高稳定性。传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
如下所示。该晶体是有效电感，并在
与C PI -网络电路
D
和C
G
提供了额外的
所需的相移，以维持振荡。振荡
频率（f
0
）为15〜 250ppm的上述晶体的系列
谐振频率（f
S
).
驱动电平
R
A
用于通过形成限制液晶的驱动电平
R的电压分压器
A
和C
D
. R
A
也稳定
振荡器反对改变放大器的输出
电阻（R
0
). R
A
应增加为更高的电压
操作。
负载电容
在CX晶体校准公差是由影响
有效电路的电容，指定作为负载
电容（C
L
). C
L
约等于：
C
L
=
C
D
乘C
G
C
D
+ C
G
+
C
S
为500ppm （0.05％）
为1000ppm （0.1％）
驱动电平
10000ppm的（1.0％）
3
µW
最大
负载电容**
7 pF的
转折点（T
0
)**
35
O
C
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
2
在拐点温度T
0
按： F-F
0
=
K（ T形
0
)
f
0
功能模式
老龄化，第一年
冲击，生存
振动，生存
工作温度。范围
伸展
5 ppm的MAX
750克高峰， 0.3毫秒，
1
/
2
正弦
10克RMS ， 20〜1,000 Hz的随机
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
-55
O
C至+ 125
O
C
260
O
下进行20秒。
(1)
注：C
D
和C
G
包括流浪布局，地面和C
S
是在晶体之间的杂散电容并联
终奌站。在实践中，将C的有效数值
L
将少
比从C计算
D
, C
G
和C
S
因为价值观
的放大器的输出电阻的影响。 ç
S
应
被最小化。
的振荡频率（f
0
）近似等于：
f
0
=
f
S
1
+
储存温度。范围
最大过程温度
*提供更严格的公差。
**可用其他值。
[
C
1
2(C
0
+ C
L
)
]
(2)
终端
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
其中f
S
C
1
C
0
晶体=串联谐振频率
=动态电容
=并联电容
传统的CMOS
皮尔斯振荡器电路。
R
f
卜FF器
OSC
频率（F
O
)
封装选项
CX1SM
- 托盘包装
- 磁带和卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
HOW TO ORDER CX1SM晶体
CX1
S
C
SM1
1.0M,
频率
K =千赫
M =兆赫
扩音器
R
A
500
/ M
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准。
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
校准
S =客户指定
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
C
G
CX1
XTAL
C
D
10129 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
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IS
O
90
01
RSG [ RSG ELECTRONIC COMPONENTS GMBH ]
