SSO-AD-800-TO5i
雪崩光电二极管
特色
高增益在低偏压
快的上升时间
直径800微米的活动区域
低电容
参数：
活动区域
暗电流
(M=100)
1)
总电容
(M=100)
2)
打破ü
BR
（在我
D
=2µA)
U型温度系数
BR
光谱响应
在780nm处
截止频率
(-3dB)
上升时间
最佳增益
增益M
"Exess Noise"因素
(M=100)
"Exess Noise"指数
(M=100)
噪声电流
(M=100)
N.E.P.
（M = 100， 880 nm）的
工作温度
储存温度
1）测定条件：
1)
套餐3 （ TO5i ） ：
0,5 mm
∅
800 µm
最大。 6 nA的
（典型值） 。 4 NA
typ.5 pF的
100 - 220 V
（典型值） 。 0,4 ％/℃
分钟。 0,40 / W
（典型值） 。 0,45 / W
（典型值） 。 0.5 GHz的
（典型值） 。 700 PS
50 - 60
200分钟
2
（典型值） 。 2,2
（典型值） 。 0,2
（典型值） 。 3 PA / Hz的
�½
（典型值） 。 4 * 10W / Hz的
-20 ... +70°C
-60 ... +100°C
-14
�½
光电流为10nA ，在M = 1和照射由一个设置
近红外LED（ 880nm的， 80nm的带宽） 。
光电流可达上升至1 μA ， （M = 100）的内部
乘法由于增加的偏置电压。
2 ）限制ü
BR
范围可能同意
ROITHNER [ Roithner LaserTechnik GmbH ]
