SSO-AD-1100-TO5I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSO-AD-1100-TO5I
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内容描述：	雪崩光电二极管 [Avalanche Photodiode]
分类和应用：	光电二极管光电二极管
文件页数/大小：	2 页 / 57 K
品牌：	ROITHNER [ Roithner LaserTechnik GmbH ]

SSO-AD-1100-TO5i

雪崩光电二极管

特色

高增益在低偏压

快的上升时间

1130微米直径的有效面积

低电容

参数：

活动区域

暗电流

(M=100)

总电容

(M=100)

打破ü

（在我

=2µA)

U型温度系数

光谱响应

在780nm处

截止频率

(-3dB)

上升时间

最佳增益

增益M

"Exess Noise"因素

(M=100)

"Exess Noise"指数

(M=100)

N.E.P.

（M = 100， 880 nm）的

工作温度

储存温度

套餐3 （ TO5i ）：

1,0 mm

∅

1130m

最大。 6 nA的

typ.10 pF的

（典型值）。 160 V

（典型值）。 0,4 ％/℃

（典型值）。 0,45 / W

（典型值）。 0.35 GHz的

TYP 。 1纳秒

40 – 60

（典型值）。 100

（典型值）。 2,2

（典型值）。 0,2

（典型值）。 8 * 10 W / Hz的

-20 ... +70°C

-60 ... +100°C

-14

�½

1）测定条件：

光电流为10nA ，在M = 1和照射由一个设置

近红外LED（ 880nm的， 80nm的带宽）。

光电流可达上升至1 μA ，（M = 100）的内部

乘法由于增加的偏置电压。

2 ）限制ü

范围可能同意

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