RSQ035N03
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RSQ035N03
Structure
Silicon N-channel MOS FET
External dimensions
(Unit : mm)
ÌÍÓÌê
ïòðÓßÈ
ðòèë
ðòé
Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving, small surface mount package (TSMT6).
ï°·² ³¿®µ
îòç
ïòç
ðòçë ðòçë
øê÷
øë÷
øì÷
ð¢ðòï
øï÷
øî÷
øí÷
ðòì
ðòïê
Applications
Switching
Û¿�½¸ ´»¿¼ ¸¿- -¿³» ¼·³»²-·±²-
ß¾¾®»ª·¿¬»¼ -§³¾±´ æ ÏÒ
Packaging specifications
п�½µ¿¹»
̧°»
ÎÍÏðíëÒðí
ݱ¼»
Þ¿-·�½ ±®¼»®·²¹ «²·¬ ø°·»�½»-÷
Ì¿��·²¹
ÌÎ
íððð
Inner circuit
øê÷
øë÷
øì÷
î
ï
øï÷ Ü®¿·²
øî÷ Ü®¿·²
øí÷ Ù¿¬»
øì÷ ͱ«®�½»
øë÷ Ü®¿·²
øê÷ Ü®¿·²
øï÷
øî÷
øí÷
ï ÛÍÜ ÐÎÑÌÛÝÌ×ÑÒ Ü×ÑÜÛ
î ÞÑÜÇ Ü×ÑÜÛ
Absolute maximum ratings
(Ta=25 C)
п®¿³»¬»®
Ü®¿·²ó-±«®�½» ª±´¬¿¹»
Ù¿¬»ó-±«®�½» ª±´¬¿¹»
Ü®¿·² �½«®®»²¬
ͱ«®�½» �½«®®»²¬
øÞ±¼§ ¼·±¼»÷
̱¬¿´ °±©»® ¼·--·°¿¬·±²
ݸ¿²²»´ ¬»³°»®¿¬«®»
ο²¹» ±º -¬±®¿¹» ¬»³°»®¿¬«®»
ï Щ ïðk-ô Ü«¬§ �½§�½´» ïû
î Ó±«²¬»¼ ±² ¿ �½»®¿³·�½ ¾±¿®¼
ݱ²¬·²«±«-
Ы´-»¼
ݱ²¬·²«±«-
Ы´-»¼
ͧ³¾±´
Ê
ÜÍÍ
Ê
ÙÍÍ
×
Ü
×
ÜÐ
ï
×
Í
×
ÍÐ
ï
Ð
Ü
î
Ì�½¸
Ì-¬¹
Ô·³·¬-
íð
îð
oíòë
oïì
ïòð
ïì
ïòîë
ïëð
–ëë
±
õïëð
˲·¬
Ê
Ê
ß
ß
ß
ß
É
pÝ
pÝ
Thermal resistance
п®¿³»¬»®
ݸ¿²²»´ ¬± ¿³¾·»²¬
Ó±«²¬»¼ ±² ¿ �½»®¿³·�½ ¾±¿®¼
ͧ³¾±´
ά¸ø�½¸ó¿÷
Ô·³·¬-
ïðð
˲·¬
pÝñÉ
1/2
ROHM [ ROHM ]
