欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

R6018JNJ 参数 Datasheet PDF下载

R6018JNJ图片预览
型号: R6018JNJ
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications.]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 1493 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
 浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第7页浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第8页浏览型号R6018JNJ的Datasheet PDF文件第9页  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
R6018JNJ  
Datasheet  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
llThermal resistance  
Values  
Unit  
Min. Typ. Max.  
Parameter  
Symbol  
RthJC  
RthJA  
Tsold  
Thermal resistance, junction - case  
-
-
-
-
-
-
0.57 /W  
Thermal resistance, junction - ambient  
Soldering temperature, wavesoldering for 10s  
80  
/W  
265  
llElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Values  
Parameter  
Symbol  
V(BR)DSS  
IDSS  
Conditions  
Unit  
V
Min. Typ. Max.  
Drain - Source breakdown  
voltage  
V
V
= 0V, I = 1mA  
D
600  
-
-
-
-
GS  
= 600V, V = 0V  
DS  
GS  
Zero gate voltage  
drain current  
100  
μA  
T = 25°C  
j
IGSS  
V
V
V
= ±30V, V = 0V  
DS  
Gate - Source leakage current  
Gate threshold voltage  
-
-
±100  
7.0  
nA  
V
GS  
DS  
GS  
VGS(th)  
= V , I = 4.2mA  
5.0  
6.0  
GS  
D
= 15V, I = 9.0A  
D
Static drain - source  
on - state resistance  
*5  
RDS(on)  
-
-
0.220 0.286  
1.7  
Ω
Ω
T = 25°C  
j
RG  
Gate resistance  
f = 1MHz, open drain  
-
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
© 2019 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
2/11  
20190527 - Rev.002  
 复制成功!