RT8005
绝对最大额定值
l
（注1 ）
电源电压， PVDD和VDD
------------------------------------------------------------------------------−
0.3V至6V
l
EN ， FB电压---------------------------------------------- -------------------------------------------------- ---
−
0.3V至V
DD
l
PGND到GND ----------------------------------------------- -------------------------------------------------- ---
−
0.3V至0.3V
l
LX电压---------------------------------------------------------------------------------------------------------
−
0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
l
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
VDFN -10L 3x3的----------------------------------------------------------------------------------------------------1.923W
l
封装热阻（注4 ）
VDFN -10L 3x3的，
θ
JA
-----------------------------------------------------------------------------------------------52°C/W
l
结温------------------------------------------------ ------------------------------------------- 150℃
l
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- ----------------------------- 260℃
l
l
存储温度范围----------------------------------------------- ------------------------------------
−
65 ℃〜150 ℃的
ESD易感性（注2 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- ----------------------------------------- 2kV的
MM （机器模式） --------------------------------------------- ----------------------------------------------- 200V
（注3）
推荐工作条件
l
l
l
l
电源电压， PVDD和VDD -------------------------------------------- ---------------------------------- 2.4V至5.5V
使能输入电压，V
EN
-------------------------------------------------- ----------------------------------- 0V至V
DD
环境温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------
−
40 ° C至85°C
结温范围----------------------------------------------- -----------------------------------
−
40 ° C至125°C
电气特性
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
电源电流
静态电流
关断电流
参考
参考电压
振荡器
开关频率范围
最大占空比
输出电压
线路调整
负载调整率
电源开关
R
DS （ ON）
P沟道MOSFET
R
DS （ ON）
N沟道MOSFET
电流限制
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
Q
I
SHDN
V
EN
= 3.3V, V
FB
= V
REF
+ 0.15V,
I
OUT
= 0毫安
V
EN
= 0V
--
--
200
0.01
400
1
µA
µA
V
REF
0.4925
0.5
0.5075
V
f
OSC
DC
V
PVDD
= V
OUT
1.7
100
2.0
--
2.3
--
兆赫
%
V
DD
= 2.4V至5.5V ，我
负载
= 100毫安
10毫安<我
负载
< 600毫安
--
--
--
--
+1.5
+1.5
%
%
R
P_FET
R
N_FET
I
极限
V
PVDD
= 3.3V ，我
LX
= 300毫安
V
PVDD
= 3.3V ，我
LX
=
−300mA
V
PVDD
= 3.3V, V
FB
= V
REF
- 0.15V
--
--
--
230
180
1.8
--
--
--
mΩ
mΩ
A
待续
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4
2007年DS8005-08八月
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