RT6030
应用信息
该RT6030是一个4通道LED电流源控制器。这
设备还可以驱动一个外部BJT或N-MOSFET的
各种应用。请参阅拓扑中的典型
应用电路的更多细节。
电容器的选择
仔细选择的外部电容的RT6030
强烈建议，以保持高稳定
和性能。输入电容最小1μF
必须连接在VCC与地之间。该
电容，增强了正确的电源电压稳定
操作。
芯片使能操作
拉EN引脚为低电平以驱动器件进入关断模式。
在关断模式下，待机电流下降到
10毫安（MAX）。驱动EN引脚为高电平，打开设备上
再次。控制LED亮度， RT6030可以执行
通过施加一个PWM信号到EN调光功能
引脚。 LED的平均电流是正比于PWM
信号的占空比。为了得到正确的调光时，
的PWM信号的幅度应该比更高
EN引脚的阈值电压。
MOSFET选择
该RT6030设计用于驱动外部N - MOSFET的通
元素。 MOSFET的选择标准包括门槛
电压，V
GS
(V
TH
） ，最大连续漏电流，
I
D
上电阻R
DS （ ON）
，最大漏极 - 源极
电压，V
DS
和封装热阻，
θ
JA
。该
最关键的规范是MOSFET ř
DS （ ON）
. R
DS （ ON）
可以从下面的公式计算：
R
DS （ ON）
(V
−
V
OUT
)
=
IN
I
O
从结点到环境的热阻是：
(T
−
T
A
)
θ
JA
=
J
P
D
在本实施例中，磷
D
= （ 1.5V - 1.2V ）× 2A = 0.6W 。该
PHD3055E's
θ
JA
是它的D- PAK封装， 75 ° C / W其中
转换为一个45 ℃的温度上升高于环境。该
包提供暴露出屁股直接转移
热到PCB板上。
LED电流设置
该RT6030保持0.8V的内部基准电压。
如图所示的典型应用电路， LED电流
可以通过在Rx （X = 1 ，2，3 ，4）电阻相应地设置。
0.8
I
LEDX
=
(A)
R
x
NPN晶体管的选择
该RT6030驱动通过德里克斯外部NPN晶体管
引脚（源基极电流I
B
） 。 NPN晶体管的选择
标准包括直流电流增益，H
FE
阈值电压，
V
BE
，集电极 - 发射极电压，V
CE
，最大连续
集电极电流，I
C
和封装热阻，
θ
JA
.
散热注意事项
对于连续运行，不超过绝对
最高结温。最大功率
耗散取决于集成电路的热阻
封装， PCB布局，周边气流的速度，
结和环境温度之间的差异。该
最大功率耗散可通过计算
下式：
P
D（最大）
= (T
J（下最大）
−
T
A
) /
θ
JA
其中T
J（下最大）
是最大结温，T
A
is
环境温度，并
θ
JA
是结到环境
热阻。
对于推荐的工作条件规范
该RT6030 ，最高结温为125°C
和T
A
是在室温下进行。结点至环境
热阻，
θ
JA
，为布局依赖。为
SOP- 16封装的热阻，
θ
JA
，是
在一个标准的JEDEC 51-3单层热95 ° C / W
测试板。在T最大功率耗散
A
= 25°C
可以计算由下式：
例如， MOSFET工作频率高达2A时，
输入电压为1.5V ，并设置输出电压为1.2V 。
于是，R
DS （ ON）
= (1.5V
−
1.2V ） / 2A = 150mΩ 。该
MOSFET的ř
DS （ ON）
必须大于150mΩ低。菲利普
PHD3055E的MOSFET的R
DS （ ON）
120MΩ的（典型值）为
一个合适的解决方案。
功耗的计算公式为：
P
D
= (V
IN
−
V
OUT
） ×1
负载
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DS6030-02 2011年3月
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