欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
热门品牌
最新上传

GRM033B11C561KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

HGTG11N120CND

1200 V NPT IGBT
局域网瞄准线双极性晶体管功率控制
0 ONSEMI

GRM329B11H123MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0225C1E7R7WA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0115C1E110JE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

10-F006PPA010M701-LT23B79

Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC
暂无信息
1 VINCOTECH

GCM1885G1H3R9CA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM1885C1H2R1CA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

BM28723AMUV

BM1050AF是组合了应对高次谐波的功率因数校正(Power Factor Correction)转换器(以下简称PFC部)与DC/DC转换器(以下简称DC/DC部)的复合LSI。DC/DC部采用准谐振方式动作,有助于实现低EMI。BM1050AF内置650V耐压启动电路。PFC部、DC/DC部均外接开关MOSFET及电流检测电阻,可实现自由度高的电源设计。PFC部采用峰值电流控制。利用带AC电压过低补偿电路的乘法器、应对负载变动的电路、最大功率补偿电路等各种保护电路,提供合适的应用方案。此外,内置跳频功能,有助于实现低EMI。DC/DC部的准谐振方式为软开关动作,有助于实现低EMI。内置脉冲串模式,可降低轻负载时的功耗。内置了软启动功能、脉冲串功能、逐周期过电流限制、过电压保护、过负荷保护等各种保护功能。与微控制器间设有通信控制用端子、外部停止端子,可提供适用于各种应用的系统方案。
通信开关控制器微控制器软启动脉冲功率因数校正转换器
0 ROHM

GCM1887U1H152JA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM2195G2E8R5CB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRT188R71C334KE01#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
2 MURATA

GRM1555C1H5R7CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDBL86062-F085

N沟道,PowerTrench®MOSFET,100V,300A,2.0mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

IMZA120R020M1H

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
0 INFINEON