RF3133
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典型应用
• 3V GSM四频手机
•商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
产品说明
该RF3133是一种高功率，高效率电源扩增
费里的模块集成功率控制。该装置是
自包含具有50Ω的输入和输出端子。该
功率控制功能的内置，消除
需要定向耦合器，检波二极管，功率
控制ASIC和其它电源控制电路;这
允许直接驱动来自DAC模块输出
放。该设备是专为使用作为最终RF扩增
费里在GSM850 ， EGSM900 ， DCS和PCS手持
数字蜂窝设备和在其它应用中
824MHz至849MHz ， 880MHz至915MHz ， 1710MHz至
1785MHz和1850MHz至1910MHz频段。板载
功率控制提供了控制范围37分贝用
模拟电压输入;并且，功率下降为逻辑“低”
待机操作。
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
1.10 TYP
1.70 （典型值）
2.50 TYP
3.10 TYP
3.90 TYP
4.60 TYP
5.40 TYP
6.10 TYP
典型值0.10
6.90 TYP
1
8.40 TYP
7.60 TYP
6.00
5.40 TYP
4.60 TYP
4.00
2.40 TYP
1.60 TYP
四频GSM850 / GSM / DCS / PCS
功率放大器模块
• GSM850 ， EGSM900 ， DCS / PCS产品
• GPRS 12级兼容
1.40
1.25
1
9.90 TYP
9.10 TYP
8.50
6.90 TYP
6.10 TYP
3.90 TYP
3.10 TYP
1.50
0.90 TYP
典型值0.10
0.00
10.00
± 0.10
7.00
± 0.10
注意事项：
0.450
± 0.075
1
阴影区域代表引脚1的位置。
!
砷化镓HBT
的SiGe HBT
封装形式：模块
!
硅CMOS
砷化镓MESFET
特点
•完整的电源控制解决方案
•单2.9V至5.5V电源电压
在3.5V • + 35dBm的GSM输出功率
在3.5V • + 33dBm的DCS / PCS输出功率
• 55 ％的GSM和52 ％， DCS / PCS
η
EFF
氮化镓HEMT
硅锗双CMOS
12
DCS在1
频段选择2
TX ENABLE 3
VBATT 4
VREG 5
VRAMP 6
GSM在7
8
9 GSM OUT
10 VCC OUT
11 DCS OUT
VCC2
订购信息
RF3133
RF3133 PCBA
VCC2
四频GSM850 / GSM / DCS / PCS功率放大器
模块
完全组装的评估板
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
转A4 030527
5.50
6.30 TYP
6.70 TYP
0.00
3.00
2-459
RFM [ RF MONOLITHICS, INC ]
