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RF2705G 参数 Datasheet PDF下载

RF2705G图片预览
型号: RF2705G
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内容描述: 低噪音,多模四频,正交调制器和PA驱动器 [LOW NOISE, MULTI-MODE, QUAD-BAND, QUADRATURE MODULATOR AND PA DRIVER]
分类和应用: 驱动器电信集成电路信息通信管理
文件页数/大小: 24 页 / 349 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF2705G
0
典型应用
• EDGE / GSM ( GSM850 / 900 )手机
• EDGE / GSM ( DCS / PCS )手机
• W- CDMA手机/数据卡
产品说明
4.0
符合RoHS &无铅产品
低噪音,多模四频,
正交调制器和PA驱动器
• W-CDMA / GSM / EDGE多模手机
和数据卡
-A-
-B-
1.00
0.80
该RF2705是一款低噪声,多模四频直
I / Q射频调制器和PA驱动器,设计用于手机
应用多种操作模式是
所需。倍频器,分频器和LO缓冲器
包括支持多种LO产生的
选项。动态功率控制是通过一个支承
单路模拟输入给出的功率控制范围为90分贝
功率控制中的在W-CDMA模式和40分贝
另外两种模式。提供了三组RF输出:
高频段和低频段低噪声EDGE / GMSK输出,
以及一个宽带的W-CDMA的输出。该装置是
设计为2.7V到3.3V的操作,并组装在
塑料, 24引脚, 4mmx4mm QFN封装。
0.10 C
4.0
0.10 C B
2 PL
0.10 C A
2 PL
0.2 C
阴影区域表示引脚1 。
尺寸(mm) 。
-C-
0.50 TYP
0.10 C A B
0.55
典型值
0.35
座位
飞机
规模:无
0.10 C
2.60
2 PL
2.40
0.05
典型值
0.00
0.203
典型值
0.08 C
0.30
典型值
0.18
0.10 M C A B
典型值
0.08
0.03
0.50
典型值
0.30
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
模式B
封装形式: QFN , 24引脚, 4x4的
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
特点
• W- CDMA高/中/低功耗模式
•四频直接正交调制器
•可变增益PA驱动器
模式A
我SIG ñ
我SIG P
VCC1
24
VCC2 1
23
22
21
20
19
RF OUT
18
WB P
GND
注意:模头标志是
芯片的主要理由。
• GMSK旁路放大器
• LO倍频器和分频器
•基带滤波
LO HB P 2
17
RF OUT
WB ñ
RF OUT
HB P
RF OUT
HB ñ
RF OUT
LB P
LO HB N 3
DIV
2
+45°
-45°
16
Σ
LO LB P 4
为fLO
x2
+45°
-45°
15
LO LB N 5
模式控制
和偏置
动力
控制
14
订购信息
RF2705G
低噪声,多模式,四频,正交
调制器和PA驱动器
RF2705GPCBA - 41XFully组装的评估板
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
模式C 6
7
方式D
8
Q SIG ñ
9
Q SIG P
10
VREF
11
GC DEC
12
GC
RF OUT
13
LB ñ
功能框图
冯A0 060206
5-113