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RF2642_06 参数 Datasheet PDF下载

RF2642_06图片预览
型号: RF2642_06
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内容描述: 3V 900MHz的上变频器/驱动器放大器具有旁路模式 [3V 900MHz UPCONVERTER/ DRIVER AMPLIFIER WITH BYPASS MODE]
分类和应用: 驱动器放大器PC
文件页数/大小: 10 页 / 190 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF2642
0
典型应用
• CDMA / AMPS蜂窝系统
• TDMA / AMPS蜂窝系统
•通用上变频器/驱动器
- 便携式电池供电设备
符合RoHS &无铅产品
3V 900MHZ上变频器/
旁路模式驱动放大器
产品说明
该RF2642是一个完整的上变频器和电源扩增
费里的驱动程序专为CDMA应用。设计
功能驱动放大器的高和低增益状态。在
低增益状态,增益是可调的,该设备
绘制更小的电流。上变频器始终打开。该
省电模式关闭驱动放大器。该
IF输入均衡器功能,单端LO输入
和RF输出为便于接口。包装在
行业标准的4mmx4mm , 16引脚无引线芯片CAR-
垒,该设备提供了低成本的解决方案,同时缓解
电路板空间的限制。
0.10 C B
-B-
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
2.00
3
0.10 C A
2 PLCS
3.20
注意事项:
1.阴影引脚是导致1 。
2.引脚1和9的融合。
1.尺寸适用于电镀
3
终端和测量
0.10毫米和0.25毫米
航站楼提示。
2 PLCS
0.10 M C A B
12°
最大
0.05
0.00
1.00
0.90
尺寸(mm) 。
0.75
0.65
C
0.05
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: QFN , 16引脚, 4x4的
特点
•单电源3.0V工作
•步骤增益控制
•掉电控制
收益
SELECT
GND
VCC
LO +
LO-
• ACPR1 = 61dBc @ 885kHz与
P
OUT
=+5dBm
•小型QFN 16引脚封装
1
16
15
14
13
RF OUT 2
RF GND2 3
RF GND1 4
逻辑
控制
12 GND
11 IF +
10 IF-
订购信息
RF2642
3V 900MHz的上变频器/驱动器放大器
旁路模式
完全组装的评估板
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
5
VPA1
6
在RF
7
PD
8
OUT
9
GND
RF2642PCBA41X
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
转A8 060925
6-49