RF2483_1 参数 Datasheet PDF下载

RF2483Low

噪音双核

带Quadra-

TURE调制

TOR与AGC

RF2483

低噪声双频段正交

调制器AGC

符合RoHS &无铅产品

封装形式： QFN ， 20引脚， 4x4的

RF OUT HB

RF OUT LB

17

GND3

GND2

特点

双频操作700-

2400MHz

-156dBm / Hz的噪声@ 20MHz的

OFFSET

+ 19dBm OIP3

+ 6dBm的的OP1dB

35分贝增益控制范围

单一2.7V至3.3V电源

*

20

19

模式

控制

＆放大器;

偏置

18

GC

16

*

VCC3 1

VCC2 2

ISIG P 3

ISIG N 4

EN 5

*

15 GC DEC

动力

控制

Σ

14 Vref的

13 QSIG P

12 QSIG ñ

+45°

-45°

+45°

-45°

11 BAND SEL

10

GND1

*

6

VCC1

7

LO LB

8

GND LO

9

LO HB

应用

TDMA / GSM / EDGE手机

GSM / EDGE手机

W- CDMA手机

基于TDMA的无线应用程序

阳离子

无线本地环路

基站

*

代表"GND" 。

功能框图

产品说明

该RF2483是一款双频直接I / Q射频调制器，专为手工

组的应用场合是必需的多种工作模式。该

设备提供了通用的差分I / Q输入和一个共同的AGC扩增

费里。独立的单端LO输入和单端高低电平

提供带RF输出。该设备实现了非常低出的带外

-156dBm / Hz的最小RF滤波的噪声密度。从操作

单2.7V电源，该设备组装在一个4mmx4mm ， 20引脚， QFN

封装。

订购信息

RF2483

RF2483PCBA-41X

低噪声双频段正交调制器，带有AGC

完全组装的评估板

最佳技术Matching®应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

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