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RF2119PCBA 参数 Datasheet PDF下载

RF2119PCBA图片预览
型号: RF2119PCBA
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内容描述: 高效率2V功率放大器 [HIGH EFFICIENCY 2V POWER AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器功率放大器功效
文件页数/大小: 8 页 / 85 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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初步
RF2119
高效率2V功率放大器
2
典型应用
•双向寻呼机
• 915MHz的ISM频段的设备
•扩频系统
• 3V AMPS / ETACS蜂窝手机
• CDPD移动数据卡
•个人数字蜂窝
2
功率放大器
产品说明
该RF2119是一种高功率,高效率功放IC
针对2V到4V手持系统。该装置是MAN-
制造出来的一种先进的砷化镓Heterojunc-
化双极晶体管( HBT )工艺,并已
设计用作在最终RF放大器手持
数字蜂窝设备,扩频系统,并
其他应用程序在800MHz至960MHz的频段。该
设备很适合于任一连续波或脉冲的应用程序。
在3V时, RF2119可提供线性输出29.5dBm
力。该设备是自包含50Ω输入和
该输出能够容易地匹配,以获得最佳
功率,效率和线性特性。该封装
年龄是一个PSSOP -16背面地面。
-A-
3.90
± 0.10
0.25 ± 0.05
0.05 ± 0.05 3
裸露
3
散热器
4.90 ± 0.10
0.635
2.70 ± 0.10
6.00 ± 0.20
1.40 ± 0.10
1.70 ± 0.10
8˚ MAX
0 ° MIN
0.60 ± 0.15
0.24
0.20
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
封装形式: PSSOP - 16
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
•单2V至5V电源
•在2.5V 30dBm的输出功率
• 30分贝小信号增益
• 53 %的效率
•板载Power Down模式
• 800MHz至960MHz的运行
GND 1
LMATCH 2
GND 3
4 VCC
5 GND1
RF IN 6
7 GND
BIAS1 8
BIAS
电路
包装基地
GND
16 BIAS2
15 NC
14 RF OUT
13 RF OUT
12 RF OUT
11 NC
10 NC
9 VPC
订购信息
RF2119
RF2119 PCBA
高效率2V功率放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A8 010720
2-55