FPD7500.5 W¯¯
功率pHEMT制
FPD750
0.5W功率PHEMT
封装形式：裸模
产品说明
该FPD750是的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管
（ pHEMT制） ，采用了0.25μmx750μm肖特基势垒门，高-reso-定义
lution步进型光刻。双凹栅结构微型
mizes寄生效应以优化性能。在外延结构和处理
经过优化的可靠的高功率应用。该FPD750也为特色的
Tures的思
3
N
4
钝化是在低成本的塑料SOT89 ， SOT343可用的，并且
DFN封装。
优化技术
Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
的InP HBT
RF MEMS
LDMOS
特点
27.5dBm线性输出
功率为12 GHz
11.5分贝功率增益为12GHz的
14.5分贝最大稳定增益
12GHz
38dBm Ø
IP3
50％的功率附加效率
应用
窄带和宽带
高性能放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压
高效率输出扩增
fiers
中程数字广播
变送器
参数
电气规格
P
1dB
增益压缩
最大稳定增益（S21 / S12）
功率增益为P
1dB
(G
1dB
)
功率附加效率（ PAE ）
OIP
3
饱和漏源电流（I
DSS
)
最大漏源电流
(I
最大
)
跨导（G
M
)
门源漏电流（I
GSO
)
夹断电压（V
P
)
栅源击穿电压
(V
BDGS
)
栅极 - 漏极击穿电压
(V
BDGD
)
热电阻（ θJC ）
分钟。
26.5
13.5
10.5
规范
典型值。
27.5
14.5
11.5
45
38
40
马克斯。
单位
DBM
dB
dB
%
DBM
DBM
条件
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
, P
OUT
=P
1dB
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
相匹配的最佳功率，调整为最佳的IP
3
V
DS
=1.3V, V
GS
=0V
V
DS
=1.3V, V
GS
≈+1V
V
DS
=1.3V, V
GS
=0 V
VGS=-5V
V
DS
= 1.3V ，我
DS
=0.36mA
I
GS
=0.75mA
I
GD
=0.75mA
V
DS
>6V
185
230
370
200
10
|1.0|
280
mA
mA
ms
μA
V
V
V
° C / W
|12.0|
|14.5|
|14.0|
|16.0|
65
注：t
环境
=测量在f = 12GHz的22 ° C， RF规格使用CW信号。
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