RFHA1025
280W氮化镓
宽带
脉冲电源
扩音器
RFHA1025
280W氮化镓宽带脉冲功率放大器
包装方式：法兰瓷， 2针
特点
宽带运营： 0.96GHz到
1.215GHz
先进的氮化镓HEMT技术
先进的散热器技术
支持多脉冲
条件
10％至20 ％占空比
100s 1ms的脉冲宽度
综合匹配
高终端组件
阻抗
在RF
VG
引脚1 （ CUT ）
RF OUT
T
VD
销2
G
GND
B
BASE
50V的典型操作
性能
功能框图
输出脉冲功率280W
脉冲宽度100S ，
占空比10 ％
小信号增益17分贝
高效率55 ％
-40 ° C至85 ° C工作
温度
产品说明
该RFHA1025是50V 280W高功率分立放大器，设计用于L波段
脉冲雷达，空中交通管制和监视以及通用宽带
放大器应用。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的
半导体工艺，这些高性能放大器实现高输出
功率，高效率和平坦增益在很宽的频率范围在单一封装
年龄。该RFHA1025是匹配功率晶体管封装在一个密封，法兰
陶瓷封装。包通过使用提供优异的热稳定性
先进的散热和功耗的技术。易于集成的是
通过单一的，优化的匹配网络的结合来实现
提供在单一放大器的宽带增益和功率性能。
应用
雷达
空中交通管制和
监控
通用宽带
放大器器
订购信息
RFHA1025S2
RFHA1025SB
RFHA1025SQ
RFHA1025SR
RFHA1025TR13
RFHA1025PCBA-410
2件样品袋
5件包
25连体袋
50件7 “短盘
250件13 “卷轴
完全组装的评估板0.96GHz到.215GHz ; 50V
优化匹配技术
®
应用的
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
SOI
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