RFHA1020
280W的GaN宽波段脉冲
功率放大器
包装方式：法兰瓷， 2针
特点
宽带运营： 1.2GHz的
至1.4GHz
先进的GaN HEMT
技术
先进的散热器
技术
支持多脉冲
条件
在RF
VG
引脚1 （ CUT ）
GND
BASE
RF OUT
VD
销2
10％至20 ％占空比
100s 1ms的脉冲宽度
功能框图
综合匹配
高组件
终端阻抗
50V的典型操作
性能：
产品说明
该RFHA1020是50V 280W高功率分立放大器，设计用于L波段
脉冲雷达，空中交通管制和监视以及通用宽带
放大器应用。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的
半导体工艺，这些高性能放大器实现高输出
功率，高效率，和平坦的增益在很宽的频率范围中的单个封装
年龄。该RFHA1020是匹配功率晶体管封装在一个密封，法兰
陶瓷封装。包通过使用提供优异的热稳定性
先进的散热和功耗的技术。易于集成的是
通过单一的，优化的匹配网络的结合来实现
提供在单一放大器的宽带增益和功率性能。
输出脉冲功率： 280W
脉冲宽度： 100s ，占空比
10%
小信号增益： 15分贝
高效率（ 55％）的
- 40 ° C至85 ° C工作
温度
应用
雷达
空中交通管制和
监控
通用宽带
放大器器
订购信息
RFHA1020S2
RFHA1020SB
RFHA1020SQ
RFHA1020SR
RFHA1020TR13
RFHA1020PCBA-410
2件样品袋
5件包
25连体袋
50件7 “短盘
250件13 “卷轴
完全组装的评估板的1.2GHz至1.4GHz ; 50V
手术
优化匹配技术
®
应用的
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
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