CXE-1089Z
50MHz至
1200MHz
75Ω pHEMT制
MMIC LNA
初步
CXE-1089Z
50MHz至1200MHz的75Ω的pHEMT MMIC LNA
符合RoHS和无铅产品
封装形式：SOT -89
产品说明
RFMD的CXE - 1089Z是一款高性能的75Ω的pHEMT MMIC低噪声
放大器采用达林顿配置与有源偏置。活跃
偏置网络提供稳定的电流随温度和工艺
阈值电压的变化。该CXE - 1089Z放大器是专为高
线性，低噪声消费者机顶盒应用程序。这是内部
匹配到75Ω ，直接工作在5V 。
特点
平坦的增益： 13分贝+/- 0.4分贝，
50MHz至1000MHz
优良的回波损耗：
>15.5dB
低失真： CTB = -82dBc ，
CSO=-66dBc
单一的，固定的5V电源
片有源偏置网络
优化技术
Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
增益（dB ）
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
0.0
增益和回波损耗与频率，
T=25°C
-5
-8
应用
有线电视机顶盒/调谐器
CATV放大器降
光接收/发送
FTTH视频解决方案
S21
-11
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MEMS
S22
-17
-20
-23
-26
-29
S11
-32
-35
200.0
400.0
600.0
800.0
1000.0
1200.0
频率（MHz）
参数
小信号增益
增益平坦度
在1dB压缩输出功率
输出三阶截点
CSO
CTB
XMOD
输入回波损耗，最坏情况
输出回波损耗，最坏情况
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻
测试条件： V
D
= 5V I
D
= 110毫安典型。
T
L
= 25°C ž
S
=Z
L
=75Ω
分钟。
规范
典型值。
13.0
+/-0.4
18.5
38.5
-66.0
-79.0
-74.0
马克斯。
单位
dB
dB
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
回波损耗（分贝）
-14
条件
500MHz
50MHz至1000MHz
500MHz
500MHz
55.25MHz至745.25MHz ， 110Ch ，平面倾斜，
15dBmV输入
55.25MHz至745.25MHz ， 110Ch ，平面倾斜，
15dBmV输入
55.25MHz至745.25MHz ， 110Ch ，平面倾斜，
15dBmV输入
50MHz至1000MHz
50MHz至1000MHz
500MHz
静
结到外壳
16.5
dB
15.5
dB
3.0
dB
5.00
5.25
V
110.0
mA
57.5
° C / W
OIP
3
音频间隔= 1MHz时， P
OUT
每个音= 8dBm的
经过测试与应用电路
RF MICRO DEVICES® ， RFMD® ，优化科技Matching® ，启用无线连接™ ，的PowerStar® ， POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年， RF Micro Devices公司
EDS - 105785版D
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 10
RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
