CGR-0218Z
推挽
5MHz至
210 MHz的高
线性
的InGaP HBT
扩音器
CGR-0218Z
PUSH - PULL 5MHz至210MHz时钟频率高
线性度的InGaP HBT放大器
包装： SOIC - 8
产品说明
RFMD的CGR- 0218Z是一款高性能的InGaP HBT MMIC放大器，
用的InGaP工艺技术出色的可靠性。达林顿的配置
灰被用于宽带性能。异质结突破性增长
下电压和最小化结之间的漏电流。该CGR- 0218Z
包含两个放大器，用于宽带推挽式CATV放大器要求
出色的二阶性能。在第二和第三阶非线性是
在推挽式结构大大提高。
优化技术
Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
的InP HBT
RF MEMS
LDMOS
特点
放大器配置
5V单电源供电
卓越的线性度
两个放大器中的每一个SOIC-8
包装简化推挽
PC板布局
SOIC -8封装
可提供无铅，符合RoHS
标准包装
有线电视头端
CATV线路驱动器
DOCSIS电缆调制解调器
应用
1
2
3
4
8
7
6
5
参数
小信号增益
增益平坦度
OIP
3
分钟。
规范
典型值。
17.3
±0.2
42
马克斯。
单位
dB
dB
DBM
条件
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率，音调间隔= 1MHz时， P
OUT
每
tone=+6dBm
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
7章，平面倾斜， + 50dBmV
7章，平面倾斜， + 50dBmV
7章，平面倾斜， + 50dBmV
5V V
CC
结到管壳蛞蝓
P1dB
23
DBM
输入回波损耗
22
dB
输出回波损耗
22
dB
噪声系数，巴伦插入损耗
4.0
dB
包括
CSO
80
dBc的
CTB
67
dBc的
XMOD
66
dBc的
器件工作电压
5.0
V
器件工作电流
217
mA
热阻（结到
30
° C / W
LEAD ）
测试条件： V
CC
= 5V ，我
D
= 217毫安典型值，T
L
= 25 ° C，Z
S
=Z
L
= 75Ω ，推拉式应用电路
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