RFHA1003
30MHz到
512MHz ， 9W
氮化镓宽
带电源
扩音器
RFHA1003
30MHz至512MHz ， 9W的GaN WIDEBAND
功率放大器
包装： AlN的无引线芯片载体/ SO8
特点
VGS
销1
先进的氮化镓HEMT技术
9W的输出功率
先进的散热器技术
30MHz至512MHz
瞬时带宽
输入内部匹配50
28V的典型操作
性能
输出功率39.5dBm
增益19分贝
功率附加效率70 ％
-40 ° C至85 ° C工作
温度
在RF
2,3引脚
RF OUT / VDS
6,7引脚
GND
BASE
功能框图
产品说明
该RFHA1003是宽带功率放大器专为CW和脉冲应用
系统蒸发散，如无线基础设施，雷达，双向无线电和通用
扩增。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半
指挥过程中，这些高性能放大器实现了高效率，扁平
增益和大的瞬时带宽，在一个单一放大器设计。该
RFHA1003是输入匹配的GaN晶体管封装在一个空气腔的陶瓷
包，它通过使用先进的提供优异的热稳定性
散热器和功耗的技术。易于集成完成
通过优化的输入匹配网络的组件内的掺入
提供在一个单一的放大器宽带增益和功率性能。一个外部
最终输出匹配提供了进一步优化的功率和效率的灵活性
任何部分频带的总带宽内。
大信号模型可用
应用
预驱动器，用于多频段无线
基础设施变送器
AB类操作的公共
移动无线
功率放大级的
商用无线
基础设施
通用的Tx放大
测试仪表
民用和军用雷达
订购信息
RFHA1003S2
RFHA1003SB
RFHA1003SQ
RFHA1003SR
RFHA1003TR7
RFHA1003PCBA-410
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板30MHz到512MHz ;
28V操作
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
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