RF3931
30W的GaN宽带功率放大器
封装形式：全封闭2针法兰瓷
特点
宽带运营直流
3.5GHz
先进的GaN HEMT
技术
先进的散热器
技术
增益= 15分贝在2GHz
48V的典型操作
在900MHz的性能
•输出功率50W
•漏极效率为65％
• -40 ° C至85° C操作
在RF
VGQ
引脚1 （ CUT ）
GND
BASE
RF OUT
VDQ
销2
功能框图
产品说明
应用
商用无线
基础设施
蜂窝和WiMAX
基础设施
民用和军用雷达
通用宽带
放大器器
公共移动无线电
工业，科学和
医
该RF3931是一种48V 30W高功率分立放大器，专为商用
无线基础设施，移动和WiMAX基础设施，工业/的科
tific /医疗和通用宽带放大器应用。使用
先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半导体工艺中，这些
高性能放大器实现了高效率和平坦增益点多面广频
昆西范围在单一放大器设计。该RF3931是一种无与伦比的GaN转录
体管封装在一个密闭型，带凸缘的陶瓷封装。这个软件包提供
通过使用先进的散热器和功率耗散优异的热稳定性
而不能使技术。易于集成是通过掺入完成
简单，优化的匹配外部提供包宽网
在单波段放大器增益和功率性能。
订购信息
RF3931S2
2件样品袋
RF3931SB
5件包
RF3931SQ
25连体袋
RF3931SR
100件7 “短盘
RF3931TR7
750件7 “卷轴
RF3931PCK -411完全组装的评估板为2.14GHz时的优化; 48V
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
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