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ATC800A2R2BT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ATC800A2R2BT
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内容描述: 60W的GaN宽带功率放大器 [60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 14 页 / 1835 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF3932
60W的GaN宽带功率放大器
包装:密封2针法兰瓷
特点
宽带运营直流
3.5GHz
先进的GaN HEMT
技术
先进的散热器
技术
小信号增益= 14分贝在
2GHz
48V的典型操作
性能
•输出功率75W ,在P3dB
•漏极效率为68% ,在P3dB
• -40 ° C至85° C操作
在RF
VG
引脚1 ( CUT )
GND
BASE
RF OUT
VD
销2
功能框图
产品说明
该RF3932是48V , 60W的高功率分立放大器,专为商用
无线基础设施,移动和WiMAX基础设施,工业/的科
tific /医疗和通用宽带放大器应用。使用
先进的高功率密度的氮化镓( GaN)的半导体工艺中,这些
高性能放大器实现了高效率和平坦增益点多面广频
昆西范围在单一放大器设计。该RF3932是一种无与伦比的GaN转录
体管,包装在密封的法兰的陶瓷封装。这个软件包提供
通过使用先进的散热器和功率耗散优异的热稳定性
而不能使技术。易于集成是通过将简单的完成,
外部提供宽带增益包优化的匹配网络
在单个放大器和功率性能。
应用
商用无线
基础设施
蜂窝和WiMAX
基础设施
民用和军用雷达
通用宽带
放大器器
公共移动无线电
工业,科学和
订购信息
RF3932S2
RF3932SB
RF3932SQ
RF3932SR
RF3932TR7
RF3932PCK-411
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板为2.14GHz时的优化; 48V
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
LDMOS
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2012 , RF Micro Devices公司
DS120406
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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