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ATC100A150JT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100A150JT图片预览
型号: ATC100A150JT
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内容描述: 380W氮化镓WIDEBAND脉冲 [380W GaN WIDEBAND PULSED]
分类和应用: 脉冲
文件页数/大小: 11 页 / 773 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF3928B
380W氮化镓
宽带
脉冲
电源扩增
费里
RF3928B
380W氮化镓WIDEBAND脉冲
功率放大器
包装:密封2针,法兰瓷
特点
宽带运营的2.8GHz到
3.4GHz
先进的氮化镓HEMT技术
先进的散热器技术
支持多脉冲
条件
10%至20 %占空比
100s到300s脉宽
综合匹配
高终端组件
阻抗
在RF
VG
引脚1 ( CUT )
GND
BASE
RF OUT
VD
销2
65V的典型操作
性能
功能框图
脉冲输出功率380W
小信号增益13分贝
漏极效率50 %
-40 ° C至85 ° C工作
温度
产品说明
该RF3928B是65V 380W高功率分立放大器,专为S波段
脉冲雷达,空中交通管制和监视,以及通用宽带
放大器应用。采用先进的高功率密度的氮化镓( GaN)的
半导体工艺,这些高性能放大器可实现高输出
功率,高效率和平坦增益在很宽的频率范围在单一封装
年龄。该RF3928B是一个匹配的GaN晶体管封装在一个密闭型,法兰
陶瓷封装。这个包,通过使用提供了优异的热稳定性
先进的散热和功耗的技术。易于集成的是
通过简单的,优化的匹配网络的结合来实现
外部提供的宽带增益和功率性能的包
单个放大器。
应用
雷达
空中交通管制和
监控
通用宽带
放大器器
订购信息
RF3928BS2
RF3928BSB
RF3928BSQ
RF3928BSR
RF3928BTR13
RF3928B99PCBA-410
2件样品袋
5件包
25件卷轴
50件7 “短盘
250件13 “卷轴
完全组装的评估板为2.8GHz到3.4GHz的;
65V操作
优化匹配技术
®
应用的
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2012 , RF Micro Devices公司
DS120503
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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