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AP1110 参数 Datasheet PDF下载

AP1110图片预览
型号: AP1110
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内容描述: [AP1110 is a linear, low current power amplifier in ISM band utilizing InGaP /GaAs HBT process. The AP1110 is well suitable to be used for portable, low current 2.4GHz applications as well as for BT (Bluetooth) Class1 applications. The main features of AP1110 involve 2x2 compact profile; signal gain at 26 dB; typical power of 23dBm and PAE of 40% for BT Class1 under 3.3V. It is housed in a 2 x 2 (mm), 8-pin, and DFN leadless package. ]
分类和应用: ISM频段
文件页数/大小: 10 页 / 112 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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AP1110
是一个线性,低电流功率放大器
在利用的InGaP /砷化镓HBT ISM频段
流程。在AP1110非常适合作为
用于便携式,低电流的2.4GHz WLAN
应用程序以及为BT (蓝牙)
1级的应用。
AP1110封装在
2x2
紧凑的轮廓。
对于WLAN的应用程序,它具有低电流
85mA
在线性电源
18.5dBm,
增益
3.3V下26分贝。对于蓝牙应用,它
增益在26 dB为特征;典型的力量
23dBm
和PAE
40%
在3.3V 。 AP1110
也适用于新的BT 2.0( EDR)的
标准。
主要应用
•蓝牙Class 1 ,包括V1.1,1.2
& ( 2.0 ) + EDR标准
• IEEE 802.11b / g的无线局域网系统
• WLAN便携式设备
• WLAN USB设备
•其他2.4 GHz ISM频段
超小尺寸: 2×2 (毫米) , DFN- 8PIN
WLAN应用:
(在VC = 3.3V , VREF = 2.8V )
低电流: 85毫安为18.5dBm
高效率: PAE :在18dBm的25 %
增益: 26分贝
BT应用:
( BT V.1.1&1.2 ,在VC = 3.3V , VREF = 2.85V )
低电流: 85毫安在18dBm的
60毫安在16dBm的
50毫安在14dBm
高效率: PAE :在23dBm的40 %
增益: 26分贝
谐波: -33dBc ,在23dBm的
( BT EDR版本,在Vc&Vref = 3.3V )
低电流: 110毫安在18dBm的
95毫安在16dBm的
75毫安在14dBm
增益: 23分贝
注意:不同的应用程序是基于
在不同的外电路,请参考
该应用笔记详细信息。
引脚的详细信息
1
2
3
4
5
6
7
名字
VCC
在RF
VCC_BIAS
NC
V
REF1
V
REF2
RF OUT
RF OUT
描述
电源电压。
RF输入。
电源电压偏置电路。
无连接。
PA 1
st
级的偏置控制电压。
PA 2
nd
级的偏置控制电压。
RF输出。需要外部
匹配。
该软件包提供地面
电路的地以及热
耗散路径为电源
放大器。
功能框图
VCC
1
2
3
4
8
7
6
5
RF OUT
在RF
RF OUT
AP1110
VCC_BIAS
V
REF2
NC
V
REF1
8
DFN - 8引脚, 2× 2 (毫米)
BASE
金属中心
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销售部
电话: + 886-2-2698-1022
电子邮件: sales@rfintc.com
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