陶瓷电容器
3 & 4系列：半导电&电火花隙
类3（半导电）
介绍
单层金属化陶瓷盘用树脂
涂层（蜡浸） 。
常见的用法：
•台晶体管电路
•低电压旁路，耦合。
•频率确定在哪里介质
损失，喜-IR和Cap 。稳定是不是
特定网络阳离子
技术参数
电容
范围
损耗因数（ DF ）
ENCAPSULATION
绝缘电阻
条件
测量2KHZ
0.1Vrms在25℃下
标准
Specificaiton
0.01mF-0.47mF
8.0 ％以下
酚醛树脂
（浸蜡）
申请reated电压1分钟
1GW或20WF为准
25±2 ℃和70 ％相对湿度
少
16伏直流产品25伏直流应用
产品编号举例
3 YV 473 M 120 A54 B
尺寸
（毫米）最大直径光盘
（F ：标准引脚节距其他引脚间距可根据要求提供。 ）
帽（ MF）
电压
CODE
103
233
333
473
683
104
224
474
7
F=5.0
7
F=5.0
9
F=6.35
9
F=6.35
11
F=6.35
8
F=5.0
7
F=5.0
12V, 16V
YU
YV
YP
4.5
F=5.0
25V
YU
4.5
F=5.0
7
F=5.0
YV
4.5
F=5.0
YP
5.5
F=5.0
7
F=5.0
9
F=6.35
7
F=5.0
13.5
F=9.5
9
F=6.35
7
F=5.0
50V
YU
4.5
F=5.0
YV
4.5
F=5.0
0.01
0.022
0.033
0.047
0.068
0.1
0.22
0.47
6
F=5.0
盘最大3mm
20毫米分钟
直径
(D)
5mm
±1mm
5.5
F=5.0
±0.05毫米（四）
第4类（火花间隙）
介绍
火花隙电容器设计提供了可靠的
流浪，瞬态过电压和静电放电路径
电压累积。火花间隙的结构可
使电路设计者通过指定以降低成本
低电压元件。
L
D
LS±1.0
特定网络阳离子
技术参数
电容
耗散因数tan
d
ENCAPSULATION
绝缘电阻
工作温度
测量500伏
Condiditon
测在1 kHz ，
1VRMS在25℃下
规范
0.75pF 〜 0.02mF
2.5 ％最大
酚醛树脂蜡
7500MW或
ř乘C > 75W架F
+10 〜 + 85°C ， Z5U
-30 〜 + 85°C ， Y5P
±10% (K)
±20% (M)
Guarantied最大值（ U）
Guarantied最小值（V ）
可用公差
尺寸
(mm)
最大的光盘直径
电压
引线间距直径长度厚度
CAP码
V
（ LS）的
(D)
（L最大） （ T最大）
.75pF R75 1KV ， 1.5KV ， 2KV
6.35
9
13
6.35
.001mF 102
2KV
9.50
12
26
6.35
.01mF 103 1.5KV ， 2KV ， 2.5KV
9.50
20
26
6.35
.02mF 203
1KV
9.50
24
27
6.35
产品型号
例子
4 YP R75 V 102 A67 B
RFE国际
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C1BE03
REV 。二○○五年三月七日
RFE [ RFE INTERNATIONAL ]
