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R1LP0408CSP-5SC 参数 Datasheet PDF下载

R1LP0408CSP-5SC图片预览
型号: R1LP0408CSP-5SC
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内容描述: 4M SRAM( 512千字】 8位)的 [4M SRAM (512-kword 】 8-bit)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 93 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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R1LP0408C -C系列
低V
CC
数据保持特性
(大=
−20
至+ 70 ° C)
参数
V
CC
数据保留
数据
保留
当前
−5SC
至+ 70°C
至+ 40℃的
至+ 25°C
−7LC
至+ 70°C
至+ 40℃的
至+ 25°C
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
符号最小值典型值
V
DR
I
CCDR
I
CCDR
I
CCDR
I
CCDR
I
CCDR
I
CCDR
t
CDR
t
R
2
0
最大单位测试条件*
3
8
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
ns
ns
见保留波形
CS #
V
CC
0.2 V , VIN
0 V
V
CC
= 3.0V,输入电压
0 V
CS #
V
CC
0.2 V
1.0*
2
3
0.8*
1
3
16
1.0*
2
10
0.8*
1
10
t
RC
*
4
注:1。典型值是在V
CC
= 3.0 V, TA = + 25 ° C和指定的加载,并不能保证。
2.典型值是在V
CC
= 3.0 V, TA = + 40 ° C和指定的加载,并不能保证。
3. CS #控制地址缓冲区, WE#缓冲, OE #缓冲区和DIN缓冲。在数据保持方式,
VIN水平(地址, WE# , OE # , I / O) ,可在高阻抗状态。
4. t
RC
=读周期时间。
低V
CC
数据保留时序波形
( CS #控制)
t
CDR
V
CC
4.5 V
数据保持方式
t
R
2.2 V
V
DR
CS #
0V
CS #
V
CC
– 0.2 V
Rev.2.00 , May.26.2004 , 12第12页