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M5M5V416BTP-70HI 参数 Datasheet PDF下载

M5M5V416BTP-70HI图片预览
型号: M5M5V416BTP-70HI
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内容描述: 4194304 - BIT ( 262144 - WORD 16位) CMOS静态RAM [4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 150 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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修订- P11 , “ 14年3月1日
三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
4194304 - BIT ( 262144 - WORD 16位) CMOS静态RAM
省电特性
( 1 )电气特性
符号
VCC
参数
范围
测试条件
TY P
最大
单位
V
V
V
(PD)的
掉电电源电压
字节控制输入BC1 & BC2
V
我( BC)
V
我(S1)
V
我(S2)的
片选输入端S1
片选输入S2
2.0
2.0
2.0
Vcc=3.0V
<1>
S1 >为VCC - 0.2V
=
S2 >为VCC - 0.2V或
=
其他输入= 0 〜 3V
0.2V
+85°C
+70°C
+40°C
0 ~ +25°C
-20 ~ +25°C
-40 ~ +25°C
-
-
-
-
-
-
-
-
1
0.3
0.3
0.3
0.2
30
15
3
1
1
1
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
ICC
(PD)的
掉电
供应C光凭目前
<2>
S2 0.2V
其他输入= 0 〜 3V
<3>
BC1和BC2 > VCC- 0.2V
=
S1 < 0.2V或S2 > VCC- 0.2V
=
=
其他输入= 0 〜 3V
( 2 )时序要求
符号
参数
掉电成立时间
掉电RECOV红霉素吨IME
测试条件
典型值是TA = 25℃
范围
TY P
最大
单位
ns
ms
t
SU( PD )
t
REC ( PD )
0
5
( 3 )时序图
S1控制模式
VCC
注7 :在S1控制模式, S2的列夫·埃尔必须为F ixed在S2 > VCC- 0.2V或S2
=
0.2V.
t
SU( PD )
2.2V
S1
S2控制模式
VCC
S2
0.2V
t
SU( PD )
2.7V
2.7V
t
REC ( PD )
2.2V
S1
& GT ;
VCC - 0.2V
=
2.7V
S2 0.2V
2.7V
t
REC ( PD )
0.2V
BC控制模式
注8 :在公元前控制模式时, S1和S2的利埃尔必须为f ixed在S1,S2 >的Vcc - 0.2V或S2 0.2V 。
=
VCC
2.7V
t
SU( PD )
BC1
BC2
2.2V
BC1 , BC2
& GT ;
VCC - 0.2V
=
8
2.7V
t
REC ( PD )
2.2V