瑞萨的LSI
M5M5256DFP,VP-55LL,-70LL,-70LLI,
-55XL,-70XL
262144 - BIT （ 32768 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
（ VCC = 5V ± 10％ ，除非另有说明）
条件
相对于GND
Ta=25°C
-LL ， -XL
-LLI
评级
-0.3
*
~7.0
-0.3
*
~Vcc+0.3
（最多7.0 ）
单位
V
V
V
mW
°C
°C
0~Vcc
700
0~70
-40~85
-65~150
_
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
测试条件
范围
民
2.2
-0.3*
2.4
VCC
-0.5
典型值
最大
VCC
+0.3
单位
V
V
V
V
0.8
高电平输出电压1 I
OH
=-1mA
高电平输出电压2 I
OH
=-0.1mA
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（ AC ， MOS列弗EL）
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
/ S = V
IH
或或/ OE = V
IH
, V
I / O
=0
~
VCC
55ns
_
/S<0.2V,
其他inputs<0.2V或>Vcc - 0.2V为70ns
输出开
1MHz
/ S = V
IL
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开
~25°C
_
/S>Vcc-0.2V,
其他输入= 0 〜 Vcc的
0.4
±1
±1
30
25
2
30
25
4
0.1
45
40
4
50
45
8
2
0.4
6
1.2
20
5
40
3
V
µA
µA
mA
55ns
70ns
1MHz
-LL ， -LLI
-xl
-LL ， -LLI
-xl
-LL ， -LLI
-xl
-LLI
ICC
2
主动电源电流
（ AC ， TTL列弗EL）
mA
ICC
3
待机电流
~40°C
~70°C
~85°C
µA
ICC
4
待机电流
/ S = V
IH
，其它输入= 0
~
VCC
mA
_
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
电容
符号
C
I
C
O
（ VCC = 5V ± 10％ ，除非另有说明）
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
= GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
范围
最小典型最大
6
8
单位
pF
pF
注0 ： F方向或电流˚F降脂成IC是positiv E（无标记） 。
1 ：TY皮卡尔设定的值是在Ta = 25 ℃。
2: C
I
, C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
3
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
