版本。 1.1
三菱的LSI
M5M51008DFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -55H ， -70H
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M51008D系列的操作模式是通过确定
该装置的控制输入S的组合
1
,S
2
， W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
写周期执行每当低水平W和重叠
低电平S
1
和高电平S
2
。该地址必须设置
前的写周期，并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到细胞上的W，S的后缘
1
or
S
2
，以先到为准，要求的建立和保持时间相对
这些边被保持。输出使能输入OE
直接控制输出级。设置在OE在一个较高的水平，
输出级处于高阻抗状态，并在数据总线
在写周期的争用问题被消除。
读周期由在高电平和OE在一个设定W¯¯执行
较低的水平，而S
1
和S
2
处于活动状态（S
1
= L，S
2
=H).
当值[S
1
在高电平或S
2
在一个低的水平，该芯片是在
无可选择的模式，其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下，输出级处于高阻抗
状态，允许或领带与其他芯片和内存扩张
S
1
和S
2
。电源电流降低为低的
待机被指定为I电流
CC3
还是我
CC4
和存储器
数据可以在+ 2V的电源来保持，从而使备用电池
在非电源故障或断电操作期间操作
选择的模式。
功能表
S
1
X
H
L
L
L
S
2
L
X
H
H
H
W
X
X
L
H
H
模式
DQ
OE
X非选择高阻抗
X非选择高阻抗
DIN
X
写
DOUT
L
读
高阻抗
H
I
CC
待用
待用
活跃
活跃
活跃
注1 ：本表"H"和"L"意味着VIH和VIL分别。
2 ： "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
框图
*
A3
9
17
18
15
14
13
12
11
10
7
*
21
22
13 DQ1
14 DQ2
15 DQ3
17 DQ4
18 DQ5
19 DQ6
20 DQ7
21 DQ8
数据
输入/
输出
A2 10
A5
A6
A7
7
6
5
A12 4
A14 3
A16 2
A15 31
131072字
×8位
（ 512行
X128柱
X 16BLOCKS ）
23
25
26
27
28
29
地址
输入
A13 28
A8 27
A9 26
A11 25
4
3
2
1
5
A4
8
16
19
20
31
32
8
24
30
6
写
29 W控制
输入
22 S1
30 S2
芯片
SELECT
输入
时钟
发电机
A1 11
A0 12
A10 23
产量
24 OE启用
输入
32 V
CC
16 GND
(0V)
*内点线引脚号显示这些TSOP的
2
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
