版本。 1.1
三菱的LSI
M5M51008DFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -55H ， -70H
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
例（Ta = 0〜70 ℃， 5V±10％ ，除非另有说明）
（1）测定条件
输入脉冲电平............... V
IH
=2.4V,V
IL
= 0.6V （ -70H ）
V
IH
=3.0V,V
IL
= 0.0V （ -55H ）
......为5ns
输入上升和下降时间
参考电平................ V
OH
=V
OL
=1.5V
输出负载.....................图1 ，C
L
= 100pF的（ -70H ）
C
L
= 30pF的（ -55H ）
C
L
= 5pF的（对于T
en
,t
DIS
)
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （对于T
en
,t
DIS
)
V
CC
1.8kΩ
DQ
990Ω
C
L
（包括适用范围
和JIG ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a(A)
t
a(S1)
t
a(S2)
t
一个（OE）
t
dis(S1)
t
dis(S2)
t
DIS （ OE ）
t
en(S1)
t
en(S2)
t
EN（ OE ）
t
V（A）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
输出启用访问时间
之后一下输出禁止时间
1
高
之后一下输出禁止时间
2
低
OE高后输出禁止时间
之后一下输出使能时间
1
低
之后一下输出使能时间
2
高
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
民
55
-55H
最大
55
55
55
30
20
20
20
5
5
5
5
10
10
5
10
民
70
-70H
最大
70
70
70
35
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
t
CW
t
w(W)
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
su(S1)
t
su(S2)
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ W）
t
EN（ OE ）
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
-55H
民
最大
55
45
0
50
50
50
25
0
0
20
20
5
5
5
5
-70H
民
最大
70
50
0
55
55
55
30
0
0
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
